廣東(dōng)省人(r≥©én)民(mín)政府辦公廳印發《廣東(dōng)省加快(kuài)推動光(guāng)芯片産₩♦業(yè)創新發展行(xíng)動方案（202♠λ4—2030年(nián)）》。其中提出，加↕Ω↓₹快(kuài)開(kāi)展光(guāng)芯片φ 關鍵材料研發攻關。大(dà)力支持矽光(guāng)材料、化(huà)合物(wùπ₽)半導體(tǐ)、薄膜铌酸锂、氧化(huà)镓薄膜、電(diàn)光(gu×★εαāng)聚合物(wù)、柔性基底材料、超表面材料、光(guāng)學傳感材料、電(diàn)光(↓<guāng)拓撲相(xiàng)變材料、光(¶≥☆×guāng)刻膠、石英晶體(tǐ)等光(guāng)芯片關鍵材料研發制(zhì)造。
推進光(guāng)芯片關鍵裝備研發制(zhì)造。大( ±dà)力推動刻蝕機(jī)、鍵合機(jī)、外(wài)延生(shē≥®ng)長(cháng)設備及光(guāng)矢量參數(shù)網絡測試儀等光(g'✘πuāng)芯片關鍵裝備研發和(hé)國(guó)産化(huà)替代。落實工(‍≤∞gōng)業(yè)設備更新改造政策，加快(kuài)光(guān £ g)芯片關鍵設備更新升級。
支持光(guāng)芯片相(xiàng)關部件(jià↔λn)和(hé)工(gōng)藝的(de)研發及優化(huà)。大(dà)力支持收發模塊←​、調制(zhì)器(qì)、可(kě)重構光(guāng)神經₹♣網絡推理(lǐ)器(qì)、PLC分(fēn)路(lù)器(qì)、AWG光©✔★π(guāng)栅等光(guāng)器(qì)Ω®件(jiàn)及光(guāng)模塊核心部件(jiàn)的(de)研發和(hé)産業(yèβ∑↓)化(huà)。支持矽光(guāng)集成、異質集成、磊晶生(shēng)長(cháng)和(hé★β♠)外(wài)延工(gōng)藝、制(zhì)造工(gōng)藝等光(guāng)芯片相(xià¶‍₽ng)關制(zhì)造工(gōng)藝研發和(hé)持續優化(huà)。