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董明(míng)珠又(yòu)出手!格力電(diàn)器(qì)拟€♦入股中國(guó)最大(dà)LED芯片制(zhì)造廠(chǎng)商
格力電(diàn)器(qì)“造芯”再下★ ¶♣(xià)一(yī)城(chéng)。
11月(yuè)11日(rì)晚,三安光(guāng)電(diàn)✔ε一(yī)則定增公告“點燃”市(s€ ♠hì)場(chǎng)情緒。公司拟定增募資70億元加碼中高(gāo)端産品。其中,✔δ'格力電(diàn)器(qì)拟出資20億元參與,長(cháng)沙地(dì)方資金(jī β$n)拟投入50億元。
三安光(guāng)電(diàn)目前是(shì)中國(guó)最大(dà)λ€ 的(de)LED芯片制(zhì)造廠(chǎng)商。
半個(gè)月(yuè)前,長(cháng)沙高(gāo)新區(©‍₩qū)管委會(huì)旗下(xià)公司計( ↔jì)劃向三安光(guāng)電(diàn)☆<第一(yī)大(dà)股東(dōng)增資7•βλ0億元。
格力電(diàn)器(qì)“造芯”再下(✔✘xià)一(yī)城(chéng)
格力電(diàn)器(qì)今晚公告稱,以自(zì)有(yǒu)資金(jīn)20φ≠€億元參與三安光(guāng)電(diàn)≥∏非公開(kāi)發行(xíng)。公司表示,三安光(guāng)電(σ§diàn)是(shì)LED芯片龍頭,在化(huà)合物(wù)半導體(tǐ)×λ領域具有(yǒu)先發優勢。此次對(duì)三安光(guāng)電(diγ ​àn)的(de)戰略性股權投資,有(yǒu)助于公司中央空(kōng)調、智能(✔×néng)裝備、精密模具、光(guāng)伏及儲能(néng)等闆塊打入半導體(t∏γǐ)制(zhì)造行(xíng)業(yè),同時(shí)通(tōng)過與→↓∑三安光(guāng)電(diàn)在半導體(tǐ)領域的(de)合作(zuò)研發,有(yǒu→Ω)助于進一(yī)步提升公司在相(xiàng)關領域的(de)技(jì)術(ε¥∞<shù)積累。
自(zì)去(qù)年(nián)宣布進軍≠$芯片領域以來(lái),格力電(diàn)器(qì)近(jìn)來(lái)在÷¶ ×芯片領域頻(pín)頻(pín)布局。
此前,格力電(diàn)器(qì)還(hái)參與聞泰科(kē)技(jì)✔¥‍收購(gòu)芯片企業(yè)安世集團,并由此成為(wèi)聞泰科(kē)技(jì)的(de)股✔≈ ≠東(dōng)。11月(yuè)1日(rì)晚 ¶α間(jiān),格力電(diàn)器(qì)和(hé)聞泰科(kē)技(jì)分(fēn÷☆§ )别公告,聞泰科(kē)技(jì)為(wèi↓≥‍)上(shàng)述收購(gòu)增發的(d'÷×™e)股份已完成登記,格力電(diàn)器(qì&♦‍)及其一(yī)緻行(xíng)動人(rén)珠海(hǎi)融林(lí≈↕≥∏n)在聞泰科(kē)技(jì)合計(jì)持股12.33%。
公開(kāi)資料顯示,聞泰科(kē)技(jì)主營移動終端、智能(néng)硬件(jiàn)等©≈産品研發和(hé)制(zhì)造業(yè)務,客戶包括華為(wèi)、小(xiǎo)米等。而安世集 γ≤團前身(shēn)為(wèi)芯片巨頭恩智浦的(de)标準産品事(shì)業(≥÷↕yè)部,業(yè)務覆蓋半導體(tǐ)産品的(de)設計(jì)、制(zhì)造、δ☆₽γ封裝測試等環節,其客戶包括中遊制(zhì‌∞¶α)造商、下(xià)遊電(diàn)子(zǐ)品牌客戶。
在2017年(nián)年(nián)報(bào)中,格力電(d±÷↕iàn)器(qì)在不(bù)分(fēn)紅(hóng)的(de)原α÷•∑因中解釋稱,公司留存資金(jīn)将用(yòng)于生(shēng)産基地(dì)建設、智慧工(g α←ōng)廠(chǎng)升級,以及智能(néng)裝備、智能(né÷≥ng)家(jiā)電(diàn)、集成電(diàn)路(lù)等新産業(y§γδ®è)的(de)技(jì)術(shù)研發和(hé)市(shì)場(chǎng)推廣,公司進♥λ∞軍芯片領域開(kāi)始受到(dào)市(shì)場(chǎ™πng)關注。格力電(diàn)器(qì)董事(•↔shì)長(cháng)兼總裁董明(mí♦‍≈ng)珠曾多(duō)次表達格力電(diàn)器(♦≈€₹qì)“造芯”的(de)決心。在2018年(nián)6月(yu↕•è)召開(kāi)的(de)2017年(nián)度股東(dōng)大(dà)會(huì),董明≈↕α(míng)珠就(jiù)表示要(yào)争取2019年(nián)讓格力¥β↔空(kōng)調用(yòng)上(shàng)自(zì)己制(zhì)造的(β‍de)芯片。
2018年(nián)8月(yuè),珠海(hǎi)零邊界集成電(diàn)‍↑±路(lù)有(yǒu)限公司(珠海(hǎi)零邊界)火(huǒ)速注冊成立,注冊資本為(wèi)≈↓∞10億元,法定代表人(rén)為(wèi)董明(míng)珠,其經營業(yè)務範圍即包¥ 含了(le)半導體(tǐ)、集成電(diàn)路(lù)、芯片、電(dià‌↑' n)子(zǐ)元器(qì)件(jiàn)等,成為₩≠©(wèi)格力電(diàn)器(qì)研發設計(jì)芯片的(​←de)平台。
格力電(diàn)器(qì)在2018年(nián)年(nián)報(bào)中再次強調,要(yα>ào)“加快(kuài)推進芯片技(jì)術(shù)研究和(hé)芯∞→  片産品研發進度,聚焦芯片可(kě)靠性及算(suàn)法研φ§究,完成自(zì)研芯片的(de)全面替代。”在2018年(nián)年(niá‌¶™n)度股東(dōng)大(dà)會(huì)上(shàng),格力電(diàn)器←↑©(qì)表示,部分(fēn)空(kōng)調已用(yòn™λ∞"g)自(zì)研芯片。
三安光(guāng)電(diàn)定增募資加碼中高(gāo)ε←∏₽端産品
根據公告,三安光(guāng)電(diàn)此次70億元募資投向豐富₽↔₹σ,但(dàn)主要(yào)聚焦在中高(gāo)端産品,包括高(gāo)端氮化(huà)镓ε​LED外(wài)延芯片、高(gāo)端砷化(huà)镓LED外(wài)''™延芯片、Mini/Micro LED、大(dà)功率三基色激光(guāng)器(qì)、車(¥←→chē)用(yòng)LED照(zhào)明(míng)、大(dà)功率高(gāo)βδ' 亮(liàng)度LED、紫外(wài)/紅(hóng)外(wài)LE​'≥$D、太陽能(néng)電(diàn)池芯片↕₹$↔等。
從(cóng)生(shēng)産組織形式看(kàn),三安光(guāng)電(diàn)‍ 偏向于垂直整合模式,從(cóng)材料到(dào)外(wài)延片,從(cóng)芯片到(d☆♥ào)器(qì)件(jiàn)及模塊,涵蓋制(zhì)造到(dào)封裝環節♦ 。
早前有(yǒu)機(jī)構人(rén)士告訴中國(guó)證券報(bào)(ID:xhszzb)∞γ<↓記者,垂直整合企業(yè)具有(yǒu)資源的(de)內(nèi)部整合優‍✔勢,且能(néng)夠樹(shù)立起技(jì)術(shù)優勢。但(dàn)是(sβ‍∑©hì)垂直整合廠(chǎng)商所需的(de)投入非常大(dà∏Ω§λ),目前能(néng)做(zuò)到(dào)垂直整合的(de≤Ω∑)廠(chǎng)商大(dà)多(duō)數(s♠εhù)是(shì)半導體(tǐ)産業(yè)基礎深厚、實‍€​×力強大(dà)的(de)企業(yè),其餘企業(yè)多(duō)數(shù)是(shì)垂直分↓'&(fēn)工(gōng)形式,專注于産業(yè)鏈某一(yī)環節。
目前,三安光(guāng)電(diàn)正在泉州打造高(gā≤§★o)端半導體(tǐ)系列項目,該系列項目系泉州芯谷南(nán ÷₽₹)安分(fēn)園引進的(de)首個(gè)龍₩"頭項目。項目規劃建設用(yòng)地(dì)約250©±0畝,總投資約333億元。2018年(nián)啓動,預計(jì)建設期為(wèi)5年(nián®≠✔), 2022年(nián)12月(yuè)全部建成;計(jì)劃$↓±₩7年(nián)達産,達産後預計(jì)可(kě)實現(xiàn)年(nián)産值270億元。™ >♠據介紹,三安光(guāng)電(diàn↓π€β)南(nán)安芯谷産業(yè)園包括測試研發區(qū)、±¶™✔氮化(huà)镓外(wài)延芯片區(qū)、砷化(huà)镓¶∑↓<外(wài)延芯片區(qū)、襯底生(shēng)"↑産區(qū)、特種封裝區(qū)、集成電(diàn)路(lù)區(qū)等。
中國(guó)證券報(bào)(ID:xhszzb)記者了(le)解到(dào),傳統的(de) λ矽基電(diàn)力電(diàn)子(zǐ←♦♠)器(qì)件(jiàn)經過幾十年(nián)的(de)發 ≠展,其性能(néng)已經達到(dào)甚至超過材料極限,進一(y↓→λī)步大(dà)幅提升其器(qì)件(jiàn)性能(néng)已經變得(d‌φ±e)非常困難。而以氮化(huà)镓、碳化(huà)矽為( £™®wèi)代表的(de)第三代半導體(tǐ)✘£&α材料,由于具有(yǒu)寬禁帶、高(gāo)林(lín)界擊穿電(diàn)場(chǎ☆ ng)強度、高(gāo)熱(rè)導率等獨特的(de)材料優勢¶•≈​,可(kě)進一(yī)步大(dà)幅提升電(diàn)力電(diàn)™<₹∏子(zǐ)器(qì)件(jiàn)的(de)較佳性能(néng)。 ₩®上(shàng)述機(jī)構人(rén)士表示,第三代半導體(tǐ)材料将®σ®≠廣泛替代現(xiàn)在第二代半導體(tǐ)材料,全球潛在市(shì)場(chǎng)規模超∏ φ÷過千億美(měi)元。
由于上(shàng)述優勢,化(huà)合物(wù)半導體(tǐ)芯片在5G終端的(de)↕≥ 使用(yòng)極為(wèi)廣闊。比如(rú),用(yòng)以實現(xi↔♠àn)車(chē)聯網的(de)無線通(∞ tōng)訊射頻(pín)前端模塊,用(yò≠€×•ng)以車(chē)載傳感、雷達等感知(zhī)模塊,用(yòng)以電(d¶™σiàn)動汽車(chē)的(de)電(diàn)源管理(lǐ)模¥‍塊、充電(diàn)樁的(de)高(gāo)速電(dià>↕ ₹n)力開(kāi)關器(qì)件(jiàn)等。
長(cháng)沙國(guó)資砸下(xià)重金(jīn)
公告顯示,三安光(guāng)電(diàn)此次定增的(de)另一(yī)位對(duì)象是 ∑​±(shì)先導高(gāo)芯,拟認購(gòu)50億元。股權穿透後,先導高(g♣‍Ω₹āo)芯的(de)出資方歸屬長(cháng)沙國​ε↔(guó)資委和(hé)長(cháng)沙高(gāo)新區(qū)管委會(huì)。
圖片來(lái)源:上(shàng)市(shì)₽Ω®♣公司公告
三安光(guāng)電(diàn)10月(yuè)25日(rì)晚公告,三安集團與長(ch&♣÷áng)沙建芯簽署《關于廈門(mén)三安電(diàn)子☆★∏₩(zǐ)有(yǒu)限公司之增資協議(yì)》,協議(¥¶≈yì)約定長(cháng)沙建芯向三安電(diàn§±♣®)子(zǐ)(系三安光(guāng)電(diàn)第一(yī)大(dà)股東(dōng))增​<¥ 資70億元。增資完成後,長(cháng)沙建芯持有(yǒu)三安電(<π​diàn)子(zǐ)的(de)股權比例為(wèi)27.8"↓&4%。
公告顯示,長(cháng)沙建芯由麓谷建設、長(cháng)沙晟隆投資管理(lǐ)合夥企業(yè× σΩ)(有(yǒu)限合夥)分(fēn)别持股99.99%、0.01%。而長≤♥(cháng)沙建芯由長(cháng)沙高(gāo♦♣)新區(qū)管委會(huì)全資持股。而先導高(gāo)芯的(de)γ≠LP中就(jiù)有(yǒu)麓谷建設,出資5億元。
業(yè)內(nèi)人(rén)士認為(wèi),半個(gè)月(yuè)內(♥↑×nèi),長(cháng)沙地(dì)區(qū)政府資金(jīn)拟合∏♦‌計(jì)耗資120億元投向三安方面,背後或與長(cháng)沙乃至湖(hú)南(nán)謀求在Ω¶半導體(tǐ)領域突破有(yǒu)關。
近(jìn)年(nián)來(lái),相(xiàn≈✔"g)比長(cháng)江經濟帶上(shàng)的(de)多(duō)數(shù)省份,湖♣σ​‌(hú)南(nán)的(de)集成電(diàn)Ωγ路(lù)産業(yè)發展相(xiàng)對(duì)要(yào)慢(màn)一(yī)些(xiē∏$‌")。比如(rú),近(jìn)期成立的(de)國(guó)家(jiā)大(dà)基金(jīn)二期&δ​,上(shàng)海(hǎi)、江蘇、浙江、安徽、湖(ε∏✘hú)北(běi)、重慶、四川等地(dì)省級(直轄市(sh→δì))資金(jīn)直接或間(jiān)接✔±≥♥參與其中,認繳資金(jīn)合計(jì)1002億元。而湖(hú)南₹§(nán)缺席了(le)。
據報(bào)道(dào),今年(nián)8月(yuè),湖(hú) $​≤南(nán)省委常委、長(cháng)沙市(shì)委書(shū)記胡衡$ ®≠華深入長(cháng)沙高(gāo)新區(qū∞•• )、長(cháng)沙經開(kāi)區(qū),調研集成電(d'±©↕iàn)路(lù)産業(yè)鏈工(gōng)作(§λ€∑zuò)。他(tā)強調,要(yào)主動融入國(guó)家(jiā)戰略,強化(huà✔₩δ≤)省會(huì)擔當,用(yòng)好(hǎo)速度的(€£πde)力量、資本的(de)力量、創新的(de)力量,≤♠發揮優勢,補齊短(duǎn)闆,加快(kuài)提升集成電↑♥λ$(diàn)路(lù)産業(yè)規模和(hé)水(shuǐ)平,打造長(cháng)沙高(g ‍āo)質量發展新的(de)支撐點。重點推動功∑™÷率半導體(tǐ)器(qì)件(jiàn)及應用(yòng)創≥γ₽§新,加大(dà)對(duì)優質芯片設計(jì)企業(yè)的(de)支持,>>✘β支持建設第三代半導體(tǐ)生(shēng)産線,加快(kuài)形成産能(néng)規模。 ¶Ω

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